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电子元器件详细资料 » IC[34451] » ZXMN3B04N8TC
型号:ZXMN3B04N8TC类别:FET - 单制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC
系列-
制造商Diodes Inc
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C7.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C25 毫欧 @ 7.2A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222700mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs23.1nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds2480pF @ 15V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
深圳市向鸿伟业电子有限公司李0755-82561519 0755-82567969 18928435545
深圳市潮南大宇电子有限公司 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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